當(dāng)影響電磁屏蔽機(jī)房屏蔽數(shù)據(jù)效果的因素頻率較高時(shí)，吸收損失是主要的屏蔽機(jī)理，與輻射源是電場(chǎng)還是磁場(chǎng)關(guān)系不大。當(dāng)頻率較低時(shí)，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效率的主要機(jī)理，應(yīng)盡量提高反射損耗。

電場(chǎng)波較易屏蔽，平面波次之，磁場(chǎng)波較難屏蔽，尤其是低頻磁場(chǎng)(1KHz以下)，較難屏蔽。對(duì)于低頻磁場(chǎng)，應(yīng)采用高導(dǎo)磁率數(shù)據(jù)進(jìn)行屏蔽。有幾個(gè)條件會(huì)影響屏蔽數(shù)據(jù)的效果，甚至高導(dǎo)電性數(shù)據(jù)和高導(dǎo)磁性數(shù)據(jù)的結(jié)合。

導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性數(shù)據(jù)越好，屏蔽效率越高，但金屬數(shù)據(jù)在實(shí)際應(yīng)用中不能考慮這兩個(gè)方面，例如銅的導(dǎo)電性很好，但導(dǎo)磁性很差;鐵的導(dǎo)磁性好，但導(dǎo)電性差。在詳細(xì)屏蔽的基礎(chǔ)上，應(yīng)該使用什么信息，主要取決于反射損失還是吸收損失來(lái)決定是側(cè)重于導(dǎo)電性還是導(dǎo)磁性。

反射損耗與屏蔽層與輻射源之間的距離有關(guān)。對(duì)于電場(chǎng)輻射源，距離越近，反射損耗越大;對(duì)于磁輻射源，距離越近，反射損耗越小。正確辨別輻射源的性質(zhì)，確定輻射源應(yīng)靠近屏蔽層是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的重要內(nèi)容，屏蔽層仍是屏蔽層的主體。

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